• A
  • A
  • A
  • АБВ
  • АБВ
  • АБВ
  • А
  • А
  • А
  • А
  • А
Обычная версия сайта

В журнале NeuroImage опубликовали нашу статью о новом методе оценки функциональной связности мозга!

В журнале NeuroImage вышла статья Дарии Клеевой и Алексея Осадчего. Авторы представили метод CD-PSIICOS - алгоритм нового поколения для оценки функциональной связности по данным МЭГ и ЭЭГ, учитывающий индивидуальные особенности корковой активности и устраняющий искажения, вызванные объёмной проводимостью.

Иллюстрация к новости: На Startup Village представлена система ELoQ для нейрохирургии - совместная разработка ВШЭ, НИИ Склифосовского и Brainstart

На Startup Village представлена система ELoQ для нейрохирургии - совместная разработка ВШЭ, НИИ Склифосовского и Brainstart

29–30 мая на площадке Startup Village была представлена система ELoQ - программно-аппаратный комплекс для неинвазивного картирования речевых зон мозга во время нейрохирургических операций.

На портале РБК Тренды опубликовано интервью о нейроинтерфейсах с Алексеем Осадчим.

В интервью подробно обсуждаются современные достижения, технологические вызовы и возможные применения нейроинтерфейсов - от восстановления моторных функций до поддержки когнитивного здоровья.

Иллюстрация к новости: Мы готовы официально подвести итоги: II Весенняя школа "Нейроинтерфейсы нового поколения: Перспективы практического применения" прошла на высоком уровне!

Мы готовы официально подвести итоги: II Весенняя школа "Нейроинтерфейсы нового поколения: Перспективы практического применения" прошла на высоком уровне!

Благодарим каждого, кто принял участие: слушал лекции, активно участвовал в мастер-классах, задавал содержательные вопросы и поддерживал рабочую атмосферу в течение всей недели.

Иллюстрация к новости: Приглашаем на интерактив "Пассивное картирование : речь и мозг" !

Приглашаем на интерактив "Пассивное картирование : речь и мозг" !

На стенде "Создано московскими врачами" (зона 5) мы представим новую систему ELoQ — революционный инструмент для нейрохирургии!  

Иллюстрация к новости: Сотрудники Центра биоэлектрических интерфейсов выступили на VIII Международной конференции «Интерфейс мозг-компьютер: наука и практика»

Сотрудники Центра биоэлектрических интерфейсов выступили на VIII Международной конференции «Интерфейс мозг-компьютер: наука и практика»

15 мая в Самаре состоялась VIII Международная научно-практическая конференция «Интерфейс мозг-компьютер: наука и практика», объединившая ведущих российских специалистов в области нейротехнологий, прикладной нейрофизиологии и биоинженерии.

Иллюстрация к новости: 2-го июня Алексей Осадчий расскажет о магнитоэнцефалографии на школе «Волновые явления: физика и применения»

2-го июня Алексей Осадчий расскажет о магнитоэнцефалографии на школе «Волновые явления: физика и применения»

Тема пленарной лекции "Магнитоэнцефалография: методы регистрации, обработки и новые применения".

Сотрудники Центра биоэлектрических интерфейсов выступили на конференции «Нейрокампус 2025»

С 4 по 5 апреля 2025 года в Москве прошла Первая Всероссийская конференция «Нейрокампус 2025: междисциплинарные подходы к изучению и лечению заболеваний нервной системы». Организаторами мероприятия выступили РНИМУ им. Н.И. Пирогова и ФГБУ «Федеральный центр мозга и нейротехнологий» ФМБА России.

Иллюстрация к новости: Наш Центр успешно завершил первый этап запуска отечественного прототипа атомарного градиентометра с оптической накачкой (МОН) ненулевого поля.

Наш Центр успешно завершил первый этап запуска отечественного прототипа атомарного градиентометра с оптической накачкой (МОН) ненулевого поля.

В рамках стратегического проекта программы «Приоритет 2030» НИУ ВШЭ совместно с ФТИ им. А.Ф. Иоффе и компанией ООО «LIFT Центр» была собрана экспериментальная установка, включающая прецизионную лазерно-оптическую систему, необходимую для функционирования МОН-сенсора.

Алексей Осадчий в Forbes: что стоит за нейроинтерфейсами и почему это пока не прорыв

Forbes опубликовал интервью с Алексеем Осадчим, руководителем научной группы «Нейроинтерфейсы» AIRI и директором Центра биоэлектрических интерфейсов НИУ ВШЭ.